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DGW50N65CTS2A

更新时间： 2024-03-03 10:11:16

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DGW50N65CTS2A 数据手册

RoHS

DGW50N65CTS2A

COMPLIANT

Electrical Characteristics of the DIODE

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

, at T_j= 25℃

Dynamic

Reverse Recovery Current

Reverse Recovery Charge

I_rr

Q_rr

trr

1.58

148

I_F=50A,V_R=400V

-di/dt=450A/μs,

Diode reverse recovery

time

Reverse Recovery Energy

Erec

0.29

Dynamic , at Tj= 125℃

Reverse Recovery Current

I_rr

Q_rr

trr

Reverse Recovery Charge

2.54

183

I_F=50A,V_R=400V

-di/dt=450A/μs,

Diode reverse recovery

time

Reverse Recovery Energy

Erec

0.65

Dynamic , at Tj= 150℃

Reverse Recovery Current

I_rr

Q_rr

trr

Reverse Recovery Charge

3.59

218

I_F=50A,V_R=400V

-di/dt=450A/μs,

Diode reverse recovery

time

Reverse Recovery Energy

Erec

0.79

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Max. Value

0.53

Unit

R_th(j-c)

R_th(j-a)

K/W

IGBT Thermal Resistance, Junction - Case

Diode Thermal Resistance, Junction - Case

Thermal Resistance, Junction - Ambient

1.05

S-M439D

www.21yangjie.com

Rev.1.1, 8-Oct-23

1 2 345 6 7...12

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