DG212BDY

更新时间： 2024-02-15 20:22:51

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威世 - VISHAY		复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
Improved Quad CMOS Analog Switches

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DG212BDY 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
模拟集成电路 - 其他类型：	SPST	JESD-30 代码：	R-PDSO-G
信道数量：	4	功能数量：	1
最大通态电阻 (Ron)：	175 Ω	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	44 V
表面贴装：	YES	最长接通时间：	1000 ns
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

DG212BDY 数据手册

DG211B/212B

Vishay Siliconix

TEST CIRCUITS

+15 V

3 V

0 V

V+

Logic

Input

t <20 ns

50%

= +2 V

3 V

OFF

35 pF

1 kW

V–

GND

90%

Switch

Output

–15 V

= V

+ r

DS(on)

FIGURE 2. Switching Time

+15 V

V+

= 50 W

50 W

= 50 W

0V, 2.4 V

GND

V–

0V, 2.4 V

GND

V–

C = RF bypass

Isolation = 20 log

–15 V

TALK

–15 V

Off Isolation = 20 log

FIGURE 3. Off Isolation

FIGURE 4. Channel-to-Channel Crosstalk

+15 V

V+

OFF

3 V

1000 pF

V–

GND

DV = measured voltage error due to charge injection

The charge injection in coulombs is Q = C x DV

–15 V

FIGURE 5. Charge Injection

Document Number: 70040

S-00788—Rev. H, 24-Apr-00

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

4-6

1...3 4 567 8

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DG212BDY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ADG212AKRZ	ADI	功能相似	LC2MOS Quad SPST Switches
DG212BDY-E3	VISHAY	类似代替	Improved Quad CMOS Analog Switches

与DG212BDY相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DG212BDY-E3	VISHAY	Improved Quad CMOS Analog Switches	获取价格
DG212BDY-T1	VISHAY	Improved Quad CMOS Analog Switches	获取价格
DG212BDY-T1-E3	VISHAY	Improved Quad CMOS Analog Switches	获取价格
DG212BJ	VISHAY	IC 4-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDIP, PLASTIC, DIP, Multiplexer or Switch	获取价格
DG212BJ	TEMIC	SPST, 1 Func, 4 Channel, PLASTIC, DIP	获取价格
DG212BY	TEMIC	IC 4-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO, SOIC, Multiplexer or Switch	获取价格