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DG2035DQ-E3 PDF预览

DG2035DQ-E3

更新时间： 2024-01-20 15:59:41
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
6页 87K
描述
IC DUAL 1-CHANNEL, SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, PDSO10, MSOP-10, Multiplexer or Switch

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DG2035DQ-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP10,.19,20针数：10
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.77模拟集成电路 - 其他类型：SPDT
JESD-30 代码：S-PDSO-G10JESD-609代码：e3
长度：3 mm湿度敏感等级：1
信道数量：1功能数量：2
端子数量：10标称断态隔离度：71 dB
最大通态电阻 (Ron)：1 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP10,.19,20封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm子类别：Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
最长断开时间：49 ns最长接通时间：58 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mmBase Number Matches：1

DG2035DQ-E3 数据手册

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DG2035  
Vishay Siliconix  
New Product  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Reference to GND  
ESD per Method 3015.7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >2 kV  
b
Power Dissipation (Packages)  
c
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3 to +6 V  
MSOP-10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320 mW  
a
IN, COM, NC, NO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3 to (V+ + 0.3 V)  
Continuous Current (NO, NC, COM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "300 mA  
Peak Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "500 mA  
(Pulsed at 1 ms, 10% duty cycle)  
Notes:  
a. Signals on NC, NO, or COM or IN exceeding V+ will be clamped by inter-  
nal diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.  
b. All leads welded or soldered to PC Board.  
c. Derate 4.0 mW/_C above 70_C  
Storage Temperature (D Suffix) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 to 150°C  
Permanent damage to the device may occur when the ”Absolute Maximum Ratings” are exceeded. These stress ratings do not indicate conditions for which the device  
is intended to be functional. Functionality is only guaranteed to the conditions specified by the parametric table within the document. .  
SPECIFICATIONS (V+ = 3 V)  
Limits  
Test Conditions  
−40 to 85_C  
Otherwise Unless Specified  
Minb  
Typc  
Maxb  
Unit  
e
Parameter  
Analog Switch  
Symbol  
Tempa  
V+ = 3 V, "10%, V = 0.4 or 2.0 V  
IN  
V
, V  
COM  
,
NO NC  
V
d
Analog Signal Range  
Full  
0
V+  
V
Room  
Full  
0.7  
1.0  
1.2  
On-Resistance  
d
r
ON  
ON  
V+ = 2.7 V, V  
= 0.6/1.5 V  
COM  
r
r
Flatness  
Room  
Room  
0.12  
0.2  
W
I , I = 100 mA  
NO NC  
ON  
Flatness  
On-Resistance  
Match Between Channels  
Dr  
0.05  
DS(on)  
d
I
I
,
Room  
Full  
−2  
−10  
2
10  
NO(off)  
NC(off)  
V+ = 3.3 V, V , V = 0.3 V/3 V  
NO NC  
Switch Off Leakage Current  
V
COM  
= 3 V/0.3 V  
Room  
Full  
−2  
−10  
2
10  
I
nA  
COM(off)  
Room  
Full  
−2  
−10  
2
10  
Channel-On Leakage Current  
I
V+ = 3.3 V, V , V = V  
= 0.3 V/3 V  
COM(on)  
NO NC  
COM  
Digital Control  
d
Input High Voltage  
V
Full  
Full  
Full  
Full  
1.6  
1
INH  
V
Input Low Voltage  
Input Capacitance  
Input Current  
V
0.4  
1
INL  
C
9
pF  
in  
IINL or IINH  
V
IN  
= 0 or V+  
mA  
Dynamic Characteristics  
Room  
Full  
34  
24  
58  
59  
Turn-On Time  
t
ON  
V
V
or V = 2.0 V, R = 300 W, C = 35 pF  
NC L L  
NO  
Room  
Full  
49  
50  
ns  
Turn-Off Time  
t
OFF  
Break-Before-Make Time  
t
d
or V = 2.0 V, R = 300 W, C = 35 pF  
Full  
2
10  
4
NO  
NC  
L
L
d
Charge Injection  
Q
C = 1 nF, V  
= 1.5 V, R = 0 W  
GEN  
Room  
Room  
Room  
Room  
Room  
Room  
Room  
pC  
dB  
INJ  
L
GEN  
d
Off-Isolation  
OIRR  
−71  
−71  
117  
115  
367  
368  
R
L
= 50 W, C = 5 pF, f = 100 KHz  
L
d
Crosstalk  
X
TALK  
C
C
C
NO(off)  
NC(off)  
NO(on)  
d
N , N Off Capacitance  
O
C
V
IN  
= 0 or V+, f = 1 MHz  
pF  
d
Channel-On Capacitance  
C
NC(on)  
Power Supply  
Power Supply Range  
Power Supply Current  
V+  
I+  
1.8  
5.5  
1.0  
V
V
IN  
= 0 or V+  
Full  
0.01  
mA  
Notes:  
a. Room = 25°C, Full = as determined by the operating suffix.  
b. Typical values are for design aid only, not guaranteed nor subject to production testing.  
c. The algebraic convention whereby the most negative value is a minimum and the most positive a maximum, is used in this data sheet.  
d. Guarantee by design, nor subjected to production test.  
e.  
V
IN  
= input voltage to perform proper function.  
Document Number: 72701  
S-32555—Rev. A, 15-Dec-03  
www.vishay.com  
2
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DG2035DQ-T1 VISHAY

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