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DF2B6.8M1ACT

更新时间: 2024-01-30 10:53:36
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东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 268K
描述
ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

DF2B6.8M1ACT 技术参数

生命周期:Active包装说明:ULTRA COMPACT, CST2, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.74其他特性:LOW CAPACITANCE
最小击穿电压:6 V击穿电压标称值:6 V
最大钳位电压:17 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-XBCC-N2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER极性:BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压:5 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

DF2B6.8M1ACT 数据手册

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DF2B6.8M1ACT  
6. Marking  
Fig. 6.1 Marking  
Marking Code  
NB  
Part Number  
DF2B6.8M1ACT  
7. Land Pattern Dimensions (for reference only)  
Fig. 7.1 Land Pattern Dimensions (Unit: mm)  
2012-07-03  
Rev.2.0  
3

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