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DD171N12

更新时间: 2024-01-24 06:07:47
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9页 577K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 171A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-3

DD171N12 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.68
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流:6600 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:171 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

DD171N12 数据手册

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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DD171N  
Rectifier Diode Module  
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV  
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM  
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechungsgrundlage PTAV  
Calculation base PTAV  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
IFBIP D AEC / 2011-03-01, M.Stelte  
A 13/11  
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