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DCR1180F52

更新时间： 2024-10-02 21:01:15

品牌	Logo	应用领域
DYNEX		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	827K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1854A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element, F, 4 PIN

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DCR1180F52 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	250 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1854 A	断态重复峰值电压：	5200 V
重复峰值反向电压：	5200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

DCR1180F52 数据手册

DCR1180F52

Phase Control Thyristor

Preliminary Information

DS5858-1.0 June 2005 (LN23750)

FEATURES

•

Double Side Cooling

High Surge Capability

KEY PARAMETERS

V_DRM

I_T(AV)

I_TSM

dV/dt*

dI/dt

5200V

1180A

15900A

1500V/µs

300A/µs

APPLICATIONS

•

High Power Drives

* Higher dV/dt selections available

High Voltage Power Supplies

Static Switches

VOLTAGE RATINGS

Part and

Ordering

Number

Repetitive Peak

Conditions

Voltages

V_DRMand V_RRM

DCR1180F52

DCR1180F50

DCR1180F48

5200

5000

4800

T_vj= -40° C to 125° C,

I_DRM= I_RRM= 150mA,

V_DRM, V_RRMt_p= 10ms,

V_DSM& V_RSM

V_DRM& V_RRM+ 100V

respectively

Lower voltage grades available.

Outline type code: F

(See Package Details for further information)

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