DCR1260Y61

更新时间： 2024-09-09 22:08:39

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DYNEX		栅极触发装置可控硅整流器
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描述
Phase Control Thyristor Target Information

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DCR1260Y61 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1980 A
断态重复峰值电压：	6100 V	重复峰值反向电压：	6100 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

DCR1260Y61 数据手册

DCR1260Y

Phase Control Thyristor

Target Information

DS5498-1.2 February 2002

FEATURES

KEY PARAMETERS

V_DRM

I_T(AV)

I_TSM

dV/dt

dI/dt

6500V

1260A

20800A

1000V/µs

300A/µs

■ Double Side Cooling

■ High Surge Capability

■ Low Inductance Internal Construction

(max)

APPLICATIONS

■ High Power Converters

■ DC Motor Control

■ High Voltage Power Supplies

VOLTAGE RATINGS

Part and Ordering Repetitive Peak

Conditions

Number

Voltages

_DRMand V_DRM

DCR1260Y65

DCR1260Y64

DCR1260Y63

DCR1260Y62

DCR1260Y61

DCR1260Y60

T_vj= 0˚ to 125˚C,

I_DRM= I_RRM= 150mA,

V_DRM, V_RRMt_p= 10ms,

6500

6400

6300

6200

6100

6000

V_DSM& V_RSM

Outline type code: Y

V_DRM& V_RRM+ 100V

respectively

(See Package Details for further information)

Lower voltage grades available.

Fig. 1 Package outline

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