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DB106S PDF预览

DB106S

更新时间： 2024-09-22 23:14:39
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER

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DB106S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DB106S 数据手册

 浏览型号DB106S的Datasheet PDF文件第2页 
DB101S  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
DB107S  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Surge overload rating - 50 amperes peak  
* Ideal for printed circuit board  
* Reliable low cost construction utilizing molded  
* Glass passivated device  
* Polarity symbols molded on body  
* Mounting position: Any  
DB-S  
* Weight: 1.0 gram  
(
)
)
.310 7.9  
MECHANICAL DATA  
(
.290 7.4  
(
)
)
.255 6.5  
*
Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
(
.245 6.2  
* UL listed the recognized component directory, file #E94233  
.009  
(
)
)
)
.013 .330  
(
)
9.4  
(
.003 .076  
(
)
)
.042 1.1  
(
.410 10.4  
(
.038 1.0  
(
)
.360 9.4  
(
)
)
.060 1.524  
(
.040 1.016  
(8.51)  
(8.13)  
.335  
.320  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
)
)
.135 3.4  
(
.115 2.9  
(
)
)
.205 5.2  
(
.195 5.0  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S UNITS  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
400  
1.0  
1000  
Volts  
Maximum Average Forward Output Current at T  
A
=
40oC  
I
O
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
50  
Amps  
0 C  
T
J,  
T
STG  
-55 to + 150  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S UNITS  
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge  
Element at 1.0A DC  
V
F
1.1  
Volts  
uAmps  
mAmps  
2001-4  
Maximum Reverse Current at rated  
DC Blocking Voltage per element  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
5.0  
0.5  
I
R
@T  
NOTE: Suffix “-s” Surface Mount for Dip Bridge.  
12

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