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D4709N20

更新时间： 2024-01-16 19:22:23

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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23页	216K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 5.348A, 2000V V(RRM),

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D4709N20 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	71 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	5.348 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

D4709N20 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D 4709 N 20...28

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Vorläufige Daten

Preliminary Data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_RRM

2000

2400

2200

2600

2800

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

2100

2500

2300

2700

2900

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

8.400

Dauergrenzstrom

T_C= 100 °C

T_C= 87 °C

4.700

5.348

mean forward current

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

71.000

60.000

A²s*10³

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

I²t

25.205

18.000

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

forward voltage

T_vj= T_{vj max}

i_F= 11,0 kA

i_F= 4,0 kA

v_F

max.

1,65

1,12

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

0,83

0,68

Low-level i_Tmax

5000 A

V_{(TO) 2}

Ersatzwiderstand

T_vj= T_{vj max}

r_T

0,07

forward slope resistance

Low-level i_Tmax

r_{T 2}

0,104

T_vj= T_{vj max}

Durchlaßkennlinie

on-state voltage

A= 1,403E+00

C= -1,405E-01

D= 1,255E-02

2,111E-05

v_T= A + B ×i_T+ C × Ln(i_T+ 1) + D × i_T

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}

v_R= V_RRM

i_R

max.

200

reverse current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

beidseitig / two-sided,Q=180°sin

thermal resitance, junction to case

max.

0,0080

0,0073

0,0147

0,0136

0,0174

0,0160

°C/W

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, Q =180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, Q =180°sin

Kathode / cathode, DC

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

R_thJK

thermal resitance, case to heatsink

max.

0,0025

0,0050

°C/W

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

T_{vj max}

160

°C

Betriebstemperatur

T_{c op}

T_stg

-40...+160

-40...+150

°C

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

prepared by: K.-A. Rüther

approved by: J. Novotny

data of publication: 00-10-23

revision: 1

BIP AM

A26/00

Seite/page 1

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
D4709N20T	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5.348A, 2000V V(RRM), Silicon,	获取价格
D4709N22	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Element, 5.348A, 2200V V(RRM),	获取价格
D4709N22T	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5.348A, 2200V V(RRM), Silicon,	获取价格
D4709N24	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Element, 5.348A, 2400V V(RRM),	获取价格
D4709N24T	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5.348A, 2400V V(RRM), Silicon,	获取价格
D4709N26T	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5.348A, 2600V V(RRM), Silicon,	获取价格

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