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D4709N26T

更新时间： 2024-09-28 19:15:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	226K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5.348A, 2600V V(RRM), Silicon,

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D4709N26T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-CXDB-X3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.12 V	JESD-30 代码：	O-CXDB-X3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	160 °C
最大输出电流：	5.348 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2600 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	Base Number Matches：	1

D4709N26T 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D4709N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM2200

2400

2600 V

2800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

8400 A

T_C= 100 °C

T_C= 87 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

4700 A

5350 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

71000 A 1)

60000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

I²t

25205 10³A²s

18000 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 11,0 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 4,0 kA

v_F

max.

1,65 V

1,12 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

0,83 V

0,68 V

Low-Level i_Tmax≤ 5000A

V_{(T0) 2}

mΩ

T_vj= T_{vj max}

Low-Level i_Tmax≤ 5000A

r_T

0,066

0,104

mΩ

T_vj= T_{vj max}

1,403E+00

2,111E-05

-1,405E-01

1,255E-02

Durchlaßkennlinie

2000 A ≤ i_F≤ 24000 A

on-state characteristic

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

200 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

max. 0,0080 °C/W

max. 0,0073 °C/W

max. 0,0147 °C/W

max. 0,0136 °C/W

max. 0,0174 °C/W

max. 0,0160 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0025

0,0050

max.

°C/W

einseitig / single-sided

160

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

°C

-40...+150 °C

operating temperature

T_stg

Lagertemperatur

storage temperature

1) Gehäusegrenzstrom I_RSM-case= 38kA (50Hz Sinushalbwelle) / Peak case non rupture current I_RSM-case= 38kA (50Hz sinusoidal half-wave)

H.Sandmann

date of publication: 2007-10-22

revision:

prepared by:

approved by: J.Przybilla

Seite/page

BIP PPE4 / 2007-06-08 , H.Sandmann

A 08/07

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D4709N28	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 5.348A, 2800V V(RRM),
D4709N28T	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5.348A, 2800V V(RRM), Silicon,
D4709N28TVF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 5350A, 2800V V(RRM),
D470AK	ETC	获取价格	Octal Peripheral Driver
D470AK/883	ETC	获取价格	Octal Peripheral Driver
D470DJ	ETC	获取价格	Octal Peripheral Driver
D470DN	ETC	获取价格	Octal Peripheral Driver
D470G2032JH63J5R	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 100 V, U2J, 0.000047 uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED, ROHS COMPL
D470G20P3KH63J5R	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 100 V, P3K, 0.000047 uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED, ROHS COMPL
D470G20P3KH6TJ5	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 100 V, P3K, 0.000047 uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED

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