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D2218UK

更新时间: 2024-02-01 00:16:34
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管射频放大器
页数 文件大小 规格书
2页 21K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

D2218UK 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:CERAMIC, DP, 3 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 VFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDSO-F2
JESD-609代码:e4元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:GOLD端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

D2218UK 数据手册

 浏览型号D2218UK的Datasheet PDF文件第2页 
TetraFET  
D2218UK  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
C
2
B
A
20W – 12.5V – 1GHz  
SINGLE ENDED  
3
D
(
2
p
l
s
)
E
FEATURES  
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
1
G
H
F
DP  
• LOW C  
rss  
PIN 1  
PIN 3  
SOURCE  
GATE  
PIN 2  
DRAIN  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
DIM  
A
mm  
Tol.  
Inches  
0.650  
0.250  
45°  
Tol.  
16.51  
6.35  
45°  
0.25  
0.13  
5°  
0.010  
0.005  
5°  
B
• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM  
C
D
E
F
G
H
1.52  
6.35  
0.13  
3.56  
0.64  
0.13  
0.13  
0.03  
0.51  
0.13  
0.060  
0.250  
0.005  
0.140  
0.024  
0.005  
0.005  
0.001  
0.020  
0.005  
APPLICATIONS  
VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from DC to 1 GHz  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
P
Power Dissipation  
70W  
40V  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Gate – Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
DSS  
GSS  
±20V  
I
16A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
9/99  

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