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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 30 ns |
| 其他特性： | CONFIGURABLE AS 64K X 16 | 备用内存宽度： | 8 |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-T40 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP40,.9 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.32 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 1.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CYM1621HD-30MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1621HD-35C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1621HD-35MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1621HD-45C | ETC |
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x16 SRAM Module |
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| CYM1621HD-45MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1621LHD-20C | ETC |
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x16 SRAM Module |
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| CYM1621LHD-25C | ETC |
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x16 SRAM Module |
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| CYM1621LHD-25MB | ETC |
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x16 SRAM Module |
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| CYM1621LHD-30C | ETC |
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x16 SRAM Module |
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| CYM1621LHD-30MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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