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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 45 ns | 其他特性： | CONFIGURABLE AS 64K X 16 |
| 备用内存宽度： | 8 | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T40 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP40,.9 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 最大待机电流： | 0.016 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 1.25 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CYM1621LHD-45MB | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1622HV-25C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
|
| CYM1622HV-30C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1622HV-35C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1622HV-45C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
|
| CYM1622PV-15C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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| CYM1622PV-20C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX16, 20ns, CMOS, PDMA40, PLASTIC, MODULE, VDIP-40 |
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| CYM1622PV-25C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX16, 25ns, CMOS, PDMA40, PLASTIC, MODULE, VDIP-40 |
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| CYM1622PV-45C | CYPRESS |
获取价格 |
SRAM Module, 64KX16, 45ns, CMOS, PDMA40, PLASTIC, MODULE, VDIP-40 |
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| CYM1623HD-100C | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM Module |
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