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CYK256K16MCCBU-70BVXI

更新时间： 2024-02-12 14:58:11

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	374K
描述
Pseudo Static RAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, FBGA-48

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CYK256K16MCCBU-70BVXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	6 mm

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CYK256K16MCCB

MoBL3™

Switching Waveforms (continued)

Write Cycle 1 (WE Controlled)^{[12, 13, 17, 18, 19]}

t_WC

ADDRESS

t_SCE

t_AW

t_HA

t_SA

t_PWE

t_BW

BHE/BLE

t_SD

t_HD

VALID DATA

DATA I/O

DON’T CARE

t_HZOE

Write Cycle 2 (CE Controlled)^{[12, 13, 17, 18, 19]}

t _WC

ADDRESS

t_SCE

t_HA

t_AW

t_PWE

t_BW

BHE/BLE

t_SD

t_HZOE

t_HD

VALID DATA

DATA I/O

DON’T CARE

Notes:

17. Data I/O is high-impedance if OE > V

18. If Chip Enable goes INACTIVE with WE = V , the output remains in a high-impedance state.

19. During this period in the DATA I/O waveform, the I/Os could be in the output state and input signals should not be applied.

Document #: 38-05585 Rev. *F

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