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Datasheet > 存储 > OTP ROM> CY7C271A-35WC
CY7C271A-35WC PDF预览

CY7C271A-35WC

更新时间： 2024-01-10 17:29:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 开关电源开关可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
10页 169K
描述
32K x 8 Power Switched and Reprogrammable PROM

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CY7C271A-35WC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：WDIP, DIP28,.3
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.77最长访问时间：35 ns
其他特性：POWER SWITCHED PROMI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-GDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：37.0205 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：WDIP
封装等效代码：DIP28,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE, WINDOW并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：12.75 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.015 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm

CY7C271A-35WC 数据手册

 浏览型号CY7C271A-35WC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C271A-35WC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C271A-35WC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C271A-35WC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C271A-35WC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C271A-35WC的Datasheet PDF文件第7页 
1CY7C271A  
CY7C271A  
32K x 8 Power Switched and  
Reprogrammable PROM  
automatically powers down into a low-power stand-by mode.  
The CY7C271A is packaged in the 300-mil slim package and  
is available in a cerDIP package equipped with an erasure  
window to provide for reprogrammability. When exposed to UV  
light, the PROM is erased and can be reprogrammed. The  
memory cells utilize proven EPROM floating gate technology  
and byte-wide intelligent programming algorithms.  
Features  
• CMOS for optimum speed/power  
• Windowed for reprogrammability  
• High speed  
— 25 ns (Commercial)  
• Low power  
The CY7C271A offers the advantages of lower power,  
superior performance, and programming yield. The EPROM  
cell requires only 12.5V for the super voltage, and low current  
requirements allow for gang programming. The EPROM cells  
allow each memory location to be tested 100% because each  
location is written into, erased, and repeatedly exercised prior  
to encapsulation. Each PROM is also tested for AC perfor-  
mance to guarantee that after customer programming, the  
product will meet DC and AC specification limits.  
— 275 mW (Commercial)  
• Super low standby power  
— Less than 85 mW when deselected  
• EPROM technology 100%programmable  
• Slim 300-mil package  
• Direct replacement for bipolar PROMs  
• Capable of withstanding >4001V static discharge  
Reading the 7C271A is accomplished by placing active LOW  
signals on CS1 and CE, and an active HIGH on CS2. The  
contents of the memory location addressed by the address  
lines (A0–A14) will become available on the output lines  
(O0–O7).  
Functional Description  
The CY7C271A is a high-performance 32,768-word by 8-bit  
CMOS PROM. When disabled (CE HIGH), the 7C271A  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
DIP/Flatpack  
V
1
28  
A
9
A
8
A
7
CC  
O
7
O
6
O
5
A
10  
2
27  
26  
A
14  
A
11  
3
A
A
13  
A
4
A
12  
25  
24  
23  
22  
21  
6
12  
A
5
A
4
5
A
13  
256 x 1024  
PROGRAMABLE  
ARRAY  
X
8 x 1 OF 128  
MULTIPLEXER  
A
11  
10  
6
A
14  
ADDRESS  
A
A
3
CS  
1
7
A
A
2
8
CS  
2
9
A
A
9
20  
19  
18  
17  
16  
CE  
1
A
8
10  
11  
12  
13  
0
O
O
7
A
7
O
O
O
4
O
3
0
6
A
6
O
5
O
4
O
3
1
A
5
O
2
A
4
14  
GND  
15  
A
3
Y
A
2
ADDRESS  
O
O
2
PLCC  
Top View  
A
1
A
0
1
POWER-DOWN  
3
2 1 2827  
26  
4
E
CLR  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
A
5
4
A
3
6
7
8
9
10  
11  
E
A
S
O
0
2
CP  
NC  
O
A
1
A
CE  
0
NC  
O
7
CS  
1
O
6
0
CS  
2
12 131415161718  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-04013 Rev. *B  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised December 28, 2002  
1234567...10

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