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Datasheet > 存储 > OTP ROM> CY7C271A-35WC
CY7C271A-35WC PDF预览

CY7C271A-35WC

更新时间： 2024-01-29 23:12:12
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 开关电源开关可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
10页 169K
描述
32K x 8 Power Switched and Reprogrammable PROM

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CY7C271A-35WC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：WDIP, DIP28,.3
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.77最长访问时间：35 ns
其他特性：POWER SWITCHED PROMI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-GDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：37.0205 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：WDIP
封装等效代码：DIP28,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE, WINDOW并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：12.75 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.015 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm

CY7C271A-35WC 数据手册

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CY7C271A  
Switching Waveform  
I
CC  
t
PD  
t
PU  
CE  
CS  
CS  
2
ACTIVE  
INACTIVE  
ACTIVE  
1
ADDRA  
ADDRB  
A -  
0
A
14  
t
AA  
t
AA  
t
t
HZCS  
ACS  
t
t
OH  
HZCE  
t
ACE  
DATA A  
DATA B  
DATA B  
O - O  
0
7
needs to be within 1 inch of the lamp during erasure.  
Permanent damage may result if the PROM is exposed to  
high-intensity UV light for an extended period of time. 7258  
Wsec/cm2 is the recommended maximum dosage.  
Erasure Characteristics  
Wavelengths of light less than 4000 Angstroms begin to erase  
the CY7C271A in the windowed package. For this reason, an  
opaque label should be placed over the window if the PROM  
is exposed to sunlight or fluorescent lighting for extended  
periods of time.  
Programming Modes  
Programming support is available from Cypress as well as  
from a number of third-party software vendors. For detailed  
programming information, including a listing of software  
packages, please see the PROM Programming Information  
located at the end of this section. Programming algorithms can  
be obtained from any Cypress representative.  
The recommended dose of ultraviolet light for erasure is a  
wavelength of 2537 Angstroms for a minimum dose (UV  
intensity multiplied by exposure time) of 25 Wsec/cm2. For an  
ultraviolet lamp with a 12 mW/cm2 power rating, the exposure  
time would be approximately 35 minutes. The CY7C271A  
Table 1. Programming Electrical Characteristics  
Parameter  
Description  
Min.  
Max.  
13  
Unit  
V
VPP  
IPP  
Programming Power Supply  
Programming Supply Current  
Programming Input Voltage HIGH  
Programming Input Voltage LOW  
Programming VCC  
12.5  
50  
mA  
V
VIHP  
VILP  
VCCP  
3.0  
–0.5  
6.0  
VCC  
0.4  
6.5  
V
V
Document #: 38-04013 Rev. *B  
Page 4 of 10  
1234567...10

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与CY7C271A-35WC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C271A35WMB ETC

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CY7C271A-45DMB CYPRESS

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 		32KX8 OTPROM, 45ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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 		OTP ROM, 32KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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