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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | WDIP, DIP24,.3 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.61 |
| 风险等级： | 5.67 | 最长访问时间： | 55 ns |
| 其他特性： | POWER SWITCHED PROM | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 31.877 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | WDIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.03 A |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| CY7C263-55JIR | CYPRESS | OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 |
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| CY7C263-55LMB | CYPRESS | 8K x 8 Power-Switched and Reprogrammable PROM |
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| CY7C263-55PC | CYPRESS | 8K x 8 Power-Switched and Reprogrammable PROM |
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| CY7C263-55PC | ROCHESTER | 8KX8 OTPROM, 55ns, PDIP24, 0.300 INCH, DIP-24 |
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| CY7C263-55QMB | CYPRESS | 8K x 8 Power-Switched and Reprogrammable PROM |
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| CY7C263-55TMB | CYPRESS | 8K x 8 Power-Switched and Reprogrammable PROM |
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