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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型： | QDR SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 13 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C2563KV18-400BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2563KV18-400BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2563KV18-400BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2563KV18-400BZXI | ROCHESTER |
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4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
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| CY7C2563KV18-450BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2563KV18-450BZC | ROCHESTER |
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4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
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| CY7C2563KV18-450BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2563KV18-450BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2563KV18-450BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2563KV18-450BZXI | ROCHESTER |
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4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
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