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CY7C2563KV18-400BZXI

更新时间： 2024-01-10 13:51:22

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	1458K
描述
4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165

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CY7C2563KV18-400BZXI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	15 mm
内存密度：	75497472 bit	内存集成电路类型：	QDR SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	COMMERCIAL	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...31

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C2563KV18-450BZC	CYPRESS	获取价格	72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C2563KV18-450BZC	ROCHESTER	获取价格	4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
CY7C2563KV18-450BZI	CYPRESS	获取价格	72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C2563KV18-450BZXC	CYPRESS	获取价格	72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C2563KV18-450BZXI	CYPRESS	获取价格	72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C2563KV18-450BZXI	ROCHESTER	获取价格	4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
CY7C2563KV18-500BZC	CYPRESS	获取价格	72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C2563KV18-500BZC	ROCHESTER	获取价格	4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
CY7C2563KV18-500BZI	CYPRESS	获取价格	72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C2563KV18-500BZXC	CYPRESS	获取价格	72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture