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CY7C225A-40PC PDF预览

CY7C225A-40PC

更新时间： 2024-01-10 00:55:24
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS OTP只读存储器输入元件光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 225K
描述
OTP ROM, 512X8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, SLIM, PLASTIC, DIP-24

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CY7C225A-40PC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP24,.3
针数：24Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.88Is Samacsys：N
最长访问时间：25 ns其他特性：BUFFERED COMMON NOT_PRESET AND NOT_CLEAR INPUTS
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDIP-T24
JESD-609代码：e0长度：30.099 mm
内存密度：4096 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：24
字数：512 words字数代码：512
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512X8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP24,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：12.5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.826 mm
最大待机电流：0.09 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

CY7C225A-40PC 数据手册

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1CY7C225A  
CY7C225A  
512 x 8 Registered PROM  
Features  
•
•
•
TTL-compatible I/O  
Direct replacement for bipolar PROMs  
•
•
CMOS for optimum speed/power  
High speed  
Capable of withstanding greater than 2001V static  
discharge  
— 18 ns address set-up  
— 12 ns clock to output  
Functional Description  
The CY7C225A is a high-performance 512 word by 8 bit elec-  
trically programmable read only memory packaged in a slim  
300-mil plastic or hermetic DIP, 28-pin leadless chip carrier,  
and 28-pin PLCC. The memory cells utilize proven EPROM  
floating gate technology and byte-wide intelligent program-  
ming algorithms.  
•
Low power  
— 495 mW (commercial)  
— 660 mW (military)  
•
•
•
•
•
Synchronous and asynchronous output enables  
On-chip edge-triggered registers  
The CY7C225A replaces bipolar devices and offers the advan-  
tages of lower power, superior performance, and high pro-  
gramming yield. The EPROM cell requires only 12.5V for the  
supervoltage and low current requirements allow for gang pro-  
gramming. The EPROM cells allow for each memory location  
to be tested 100%, as each location is written into, erased, and  
repeatedly exercised prior to encapsulation. Each PROM is  
also tested for AC performance to guarantee that after custom-  
er programming the product will meet AC specification limits.  
Buffered common PRESET and CLEAR inputs  
EPROM technology, 100% programmable  
Slim 300-mil, 24-pin plastic or hermetic DIP, 28-pin LCC,  
or 28-pin PLCC  
•
5V ±10% V , commercial and military  
CC  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
DIP  
Top View  
O
O
7
A
0
1
24  
A
V
CC  
7
A
1
2
3
4
5
6
A
23  
22  
21  
6
A
8
6
ROW  
A
5
PS  
PROGRAMMABLE  
ARRAY  
A
2
ADDRESS  
MULTIPLEXER  
A
4
E
O
O
5
A
3
A
20  
19  
18  
17  
16  
CLR  
3
8-BIT  
EDGE-  
TRIGGERED  
REGISTER  
E
S
A
2
A
4
4
A
1
7
CP  
ADDRESS  
DECODER  
A
5
A
0
8
O
7
O
6
O
5
O
3
O
O
9
0
A
6
10  
11  
12  
1
15  
14  
O
2
O
1
O
2
O
4
O
3
A
7
COLUMN  
ADDRESS  
GND  
13  
A
8
C225A-2  
LCC/PLCC  
Top View  
O
0
S
R
CP  
PS  
CLR  
CP  
3
2 1 2827  
4
26  
25  
E
CLR  
A
4
5
6
7
8
9
A
24  
23  
22  
21  
20  
19  
3
E
A
S
2
CP  
NC  
O
A
1
E
S
A
0
NC  
7
10  
11  
O
0
O
6
C225A-1  
E
12131415161718  
C225A-3  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
December 1992 – Revised March 1995  
1234567...9

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