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CY7C164-20VC

更新时间： 2024-01-04 06:28:41
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
9页 174K
描述
16K x 4 Static RAM

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CY7C164-20VC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：24
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.83
最长访问时间：20 ns其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码：R-PDSO-J24长度：15.367 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16KX4
输出特性：3-STATE可输出：NO
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.556 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.5057 mm

CY7C164-20VC 数据手册

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66  
CY7C164  
CY7C166  
16K x 4 Static RAM  
three-state drivers. The CY7C166 has an active LOW Output  
Enable (OE) feature. Both devices have an automatic power-  
down feature, reducing the power consumption by 65% when  
deselected.  
Features  
• High speed  
— 15 ns  
Writing to the device is accomplished when the Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs are both LOW (and the  
Output Enable (OE) is LOW for the CY7C166). Data on the  
four input/output pins (I/O0 through I/O3) is written into the  
memory location specified on the address pins (A0 through  
A13).  
• Output enable (OE) feature (CY7C166)  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
— 633 mW  
• Low standby power  
Reading the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) LOW (and OE LOW for CY7C166), while Write Enable  
(WE) remains HIGH. Under these conditions the contents of  
the memory location specified on the address pins will appear  
on the four data I/O pins.  
— 110 mW  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Automatic power-down when deselected  
Functional Description  
The I/O pins stay in a high-impedance state when Chip Enable  
(CE) is HIGH (or Output Enable (OE) is HIGH for CY7C166).  
A die coat is used to insure alpha immunity.  
The CY7C164 and CY7C166 are high-performance CMOS  
static RAMs organized as 16,384 by 4 bits. Easy memory ex-  
pansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE) and  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ  
Top View  
DIP  
Top View  
A
V
A
V
CC  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
22  
21  
20  
19  
5
CC  
5
1
24  
A
A
A
A
4
A
3
6
4
6
2
3
4
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A
A
3
A
7
7
A
8
A
A
A
2
A
1
8
2
A
A
1
A
18  
17  
16  
15  
9
9
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
7C164  
A
A
A
A
A
A
A
A
7C164  
A
A
0
10  
11  
10  
11  
0
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
NC  
I/O  
3
2
1
0
12  
13  
12  
13  
3
I/O  
I/O  
I/O  
14  
13  
12  
16  
2
1
0
CE  
NC  
CE  
GND  
10  
11  
15  
14  
13  
WE  
INPUT BUFFER  
GND  
WE  
C164–3  
C164–2  
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I/O  
I/O  
3
DIP/SOJ  
Top View  
2
256 x 64 x 4  
ARRAY  
A
5
V
CC  
1
2
3
24  
23  
22  
I/O  
I/O  
1
A
6
A
4
A
A
3
7
0
A
4
5
6
7
A
8
21  
20  
19  
18  
17  
2
A
A
1
9
A
A
A
A
7C166  
POWER  
DOWN  
A
0
10  
11  
COLUMN  
DECODER  
NC  
I/O  
CE  
12  
13  
8
3
I/O  
I/O  
I/O  
9
16  
15  
14  
13  
2
1
0
WE  
(OE)  
(7C166 ONLY)  
CE  
OE  
GND  
10  
11  
12  
WE  
C166–1  
C164–4  
]
Selection Guide  
7C164-15  
7C166-15  
7C164-20  
7C166-20  
7C164-25  
7C166-25  
7C164-35  
7C166-35  
Maximum Access Time (ns)  
15  
115  
20  
20  
115  
20  
25  
105  
20  
35  
105  
20  
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum Standby Current (mA)  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05025 Rev. **  
Revised August 24, 2001  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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