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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LBGA, BGA165,11X15,40 |
| 针数： | 165 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 2.3 |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 17 mm | 内存密度： | 150994944 bit |
| 内存集成电路类型： | QDR SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 最小待机电流： | 1.7 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 15 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| CY7C1618KV18 | CYPRESS | 144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture |
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| CY7C1618KV18-300BZXC | CYPRESS | 144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture |
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| CY7C1618KV18-300BZXC | INFINEON | DDR-II CIO |
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| CY7C1618KV18-333BZXC | CYPRESS | 144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture |
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| CY7C1618KV18-333BZXC | INFINEON | DDR-II CIO |
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| CY7C161A-12DMB | ETC | x4 SRAM |
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