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CY7C1386D-250BZI

更新时间： 2024-01-03 09:23:55
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 1241K
描述
18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM

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CY7C1386D-250BZI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
针数：165Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.82最长访问时间：2.6 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：250 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B165
JESD-609代码：e0长度：15 mm
内存密度：18874368 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：165
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装等效代码：BGA165,11X15,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：220
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.07 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.35 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：13 mmBase Number Matches：1

CY7C1386D-250BZI 数据手册

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CY7C1386D, CY7C1386F  
CY7C1387D, CY7C1387F  
Pin Configurations (continued)  
165-Ball FBGA Pinout (3 Chip Enable)  
CY7C1386D (512K x 36)  
1
2
A
3
4
5
6
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8
9
10  
A
11  
NC  
NC/288M  
NC/144M  
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ADV  
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A
CE2  
A
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DQC  
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VSS  
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VSS  
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VSS  
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DQB  
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DQB  
ZZ  
E
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A
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A
M
N
P
NC/72M  
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A1  
TDO  
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MODE NC/36M  
A
A
TMS  
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A
A
A
A
R
CY7C1387D (1M x 18)  
1
2
A
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NC  
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9
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A
11  
A
NC/288M  
NC/144M  
NC  
A
B
C
D
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CE3  
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VSS  
VSS  
CE1  
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VSS  
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VSS  
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VSS  
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NC  
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VSS  
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‘VSS  
VSS  
VSS  
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NC  
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A
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A
M
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与CY7C1386D-250BZI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CY7C1386D-250BZXC CYPRESS 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM

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