Datasheet > CY7C1049B-15VC

CY7C1049B-15VC

更新时间： 2024-01-18 20:07:43

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		/
页数	文件大小	规格书
10页	135K
描述
512K x 8 Static RAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY7C1049B-15VC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ,
针数：	36	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.65	最长访问时间：	15 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-J36	JESD-609代码：	e4
长度：	23.495 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.683 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1049B-15VC 数据手册

CY7C1049B

Data Retention Waveform

DATA RETENTION MODE

> 2V

3.0V

CDR

Switching Waveforms

Read Cycle No. 1^{[12, 13]}

ADDRESS

OHA

DATA OUT

PREVIOUS DATA VALID

DATA VALID

Read Cycle No. 2 (OE Controlled)^{[13, 14]}

ADDRESS

ACE

HZOE

DOE

HZCE

LZOE

HIGH

IMPEDANCE

HIGH IMPEDANCE

DATA OUT

DATA VALID

LZCE

50%

SUPPLY

CURRENT

Notes:

12. Device is continuously selected. OE, CE = V_IL.

13. WE is HIGH for read cycle.

14. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.

Document #: 38-05169 Rev. *A

Page 6 of 10

1...3 4 567 8 9 10

下载PDF

与CY7C1049B-15VC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CY7C1049B-15VCT	CYPRESS	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36	获取价格
CY7C1049B-15VI	CYPRESS	512K x 8 Static RAM	获取价格
CY7C1049B-15VXC	CYPRESS	512K x 8 Static RAM	获取价格
CY7C1049B-15VXI	CYPRESS	512K x 8 Static RAM	获取价格
CY7C1049B-15VXIT	CYPRESS	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36	获取价格
CY7C1049B-17VC	CYPRESS	512K x 8 Static RAM	获取价格