5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C1041BV33-15VC
CY7C1041BV33-15VC PDF预览

CY7C1041BV33-15VC

更新时间： 2024-02-25 08:23:25
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 190K
描述
256K x 16 Static RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

CY7C1041BV33-15VC 技术参数

生命周期：Active包装说明：TSOP2,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.82
最长访问时间：15 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm

CY7C1041BV33-15VC 数据手册

 浏览型号CY7C1041BV33-15VC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1041BV33-15VC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1041BV33-15VC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1041BV33-15VC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1041BV33-15VC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1041BV33-15VC的Datasheet PDF文件第7页 
041BV33  
CY7C1041BV33  
256K x 16 Static RAM  
written into the location specified on the address pins (A0  
through A17). If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data  
from I/O pins (I/O8 through I/O15) is written into the location  
specified on the address pins (A0 through A17).  
Features  
• High speed  
— tAA = 12 ns  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the  
Write Enable (WE) HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is LOW,  
then data from the memory location specified by the address  
pins will appear on I/O0 to I/O7. If Byte High Enable (BHE) is  
LOW, then data from memory will appear on I/O8 to I/O15. See  
the truth table at the back of this data sheet for a complete  
description of read and write modes.  
• Low active power  
— 612 mW (max.)  
• Low CMOS standby power (Commercial L version)  
— 1.8 mW (max.)  
• 2.0V Data Retention (600 µW at 2.0V retention)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
The input/output pins (I/O0 through I/O15) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE  
are disabled (BHE, BLE HIGH), or during a write operation (CE  
LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static  
RAM organized as 262,144 words by 16 bits.  
The CY7C1041BV33 is available in a standard 44-pin  
400-mil-wide body width SOJ and 44-pin TSOP II package  
with center power and ground (revolutionary) pinout.  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte Low Enable  
(BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O0 through I/O7), is  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
TSOP II  
Top View  
INPUT BUFFER  
A
0
44  
1
A
A
A
A
OE  
BHE  
BLE  
I/O  
I/O  
I/O  
0
17  
16  
15  
A
43  
42  
41  
40  
39  
38  
1
A
2
3
4
5
6
1
A
2
A
2
I/O – I/O  
256K x 16  
ARRAY  
0
7
A
3
4
A
3
A
A
4
1024 x 4096  
A
I/O – I/O  
5
6
8
15  
CE  
A
I/O  
7
0
15  
A
7
8
37  
36  
35  
34  
33  
I/O  
I/O  
8
1
2
14  
13  
12  
A
9
10  
11  
12  
13  
I/O  
V
SS  
I/O  
3
CC  
V
SS  
COLUMN  
DECODER  
V
V
CC  
32  
I/O  
I/O  
I/O  
4
5
6
7
11  
10  
31  
30  
29  
28  
I/O  
I/O  
I/O  
14  
15  
16  
I/O  
I/O  
NC  
9
8
WE 17  
BHE  
18  
27  
26  
25  
A
14  
A
5
WE  
CE  
OE  
19  
A
6
A
13  
A
20  
21  
22  
A
7
12  
A
BLE  
A
24  
23  
11  
8
9
A
A
10  
Selection Guide  
-12  
12  
190  
-
-15  
-17  
17  
-20  
20  
-25  
25  
Maximum Access Time (ns)  
Maximum Operating Current (mA) Comm’l  
Ind’l  
15  
170  
190  
8
160  
180  
8
150  
170  
8
130  
150  
8
Maximum CMOS Standby  
Current (mA)  
Com’l/Ind’l  
Com’l  
8
L
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05168 Rev. **  
Revised November 15, 2001  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

CY7C1041BV33-15VC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
71V416S15YGI IDT

功能相似

 3.3V CMOS Static RAM
AS7C34098A-15JIN ALSC

功能相似

 3.3 V 256 K x 16 CMOS SRAM
AS7C34098A-15JCN ALSC

功能相似

 3.3 V 256 K x 16 CMOS SRAM

与CY7C1041BV33-15VC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1041BV33-15VCT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
CY7C1041BV33-15VCT ROCHESTER

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
CY7C1041BV33-15VI CYPRESS

获取价格

 		256K x 16 Static RAM
CY7C1041BV33-15VI ROCHESTER

获取价格

 		256KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
CY7C1041BV33-15VIT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
CY7C1041BV33-15VIT ROCHESTER

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
CY7C1041BV33-15ZC CYPRESS

获取价格

 		256K x 16 Static RAM
CY7C1041BV33-15ZC ROCHESTER

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1041BV33-15ZCT ROCHESTER

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1041BV33-15ZI CYPRESS

获取价格

 		256K x 16 Static RAM

与CY7C1041BV33-15VC相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证