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CY7C1041AV33L-10VC

更新时间： 2024-01-30 13:55:48

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赛普拉斯 - CYPRESS		/
页数	文件大小	规格书
9页	142K
描述
256K x 16 Static RAM

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CY7C1041AV33L-10VC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	0.400 INCH, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0016 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

CY7C1041AV33L-10VC 数据手册

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CY7C1041AV33/

GVT73256A16

PRELIMINARY

Low V Data Retention Waveform

DATA RETENTION MODE

3.0V

V_CC

V_{D R}

t_{C D R}

t_{R C}

V_IH

V_IL

CE#

Switching Waveforms

[11, 12]

Read Cycle No. 1

ADDR

VALID

PREVIOUS DATA VALID

DATA VALID

[7, 11, 13, 14]

Read Cycle No. 2

CE#

HZCE

ABE

BLE#

BHE#

AOE

HZBE

LZOE

OE#

LZBE

ACE

HZOE

LZCE

HIGH Z

DATA VALID

DON'T CARE

UNDEFINED

Notes:

11. WE is HIGH for read cycle.

12. Device is continuously selected. Chip Enable and Output Enables are held in their active state.

13. Address valid prior to or coincident with latest occurring chip enable.

14. Chip Enable and Write Enable can initiate and terminate a write cycle.

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