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CY7C1020L-10VC

更新时间: 2024-02-26 19:16:04
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赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
9页 178K
描述
32K x 16 Static RAM

CY7C1020L-10VC 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.6
最长访问时间:10 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-PDSO-J44长度:28.575 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX16
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7592 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C1020L-10VC 数据手册

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CY7C1020  
Switching Waveforms  
[8, 9]  
Read Cycle No. 1  
t
RC  
ADDRESS  
t
AA  
t
OHA  
DATA OUT  
PREVIOUS DATA VALID  
DATA VALID  
1020-5  
[9, 10]  
Read Cycle No. 2(OE Controlled)  
ADDRESS  
t
RC  
CE  
t
ACE  
OE  
t
HZOE  
t
DOE  
BHE, BLE  
t
LZOE  
t
HZCE  
t
DBE  
t
LZBE  
t
HZBE  
HIGH  
IMPEDANCE  
HIGH IMPEDANCE  
DATA OUT  
DATA VALID  
t
LZCE  
t
PD  
I
t
CC  
V
PU  
CC  
50%  
50%  
SUPPLY  
CURRENT  
I
SB  
1020-6  
Notes:  
8. Device is continuously selected. OE, CE, BHE and/or BHE = VIL.  
9. WE is HIGH for read cycle.  
10. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.  
5

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