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CY7C09179V-9C

更新时间: 2024-02-07 15:16:34
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赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
18页 335K
描述
3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM

CY7C09179V-9C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:PLASTIC, TQFP-100
针数:100Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.86最长访问时间:20 ns
其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK):67 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQFP-G100
长度:14 mm内存密度:294912 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:9
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:2端子数量:100
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFQFP封装等效代码:QFP100,.63SQ,20
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大待机电流:0.00025 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.225 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

CY7C09179V-9C 数据手册

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CY7C09079V/89V/99V  
CY7C09179V/89V/99V  
AC Test Loads  
3.3V  
3.3V  
R
TH  
= 250Ω  
R1 = 590Ω  
OUTPUT  
C = 30 pF  
OUTPUT  
R1 = 590Ω  
OUTPUT  
C = 5 pF  
C = 30 pF  
R2 = 435Ω  
R2 = 435Ω  
V
TH  
= 1.4V  
(a) Normal Load (Load 1)  
(c) Three-State Delay(Load 2)  
(b) Thévenin Equivalent (Load 1)  
(Used for tCKLZ, tOLZ, & tOHZ  
including scope and jig)  
AC Test Loads (Applicable to -6 and -7 only)[13]  
ALL INPUTPULSES  
90%  
Z = 50  
R = 50Ω  
0
OUTPUT  
3.0V  
GND  
90%  
10%  
C
10%  
3 ns  
3 ns  
V
TH  
= 1.4V  
(a) Load 1 (-6 and -7 only)  
0.60  
0.50  
0.40  
0.30  
0.20  
0. 1 0  
0.00  
1 0  
1 5  
20  
25  
30  
35  
Capacitance (pF)  
(b) Load Derating Curve  
Note:  
13. Test Conditions: C = 10 pF.  
Document #: 38-06043 Rev. *A  
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