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CY62128BNLL-70SI

更新时间: 2024-10-02 20:20:59
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 1612K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 0.450 INCH, SOIC-32

CY62128BNLL-70SI 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:0.450 INCH, SOIC-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.4
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.4465 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):220认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:2.997 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.303 mmBase Number Matches:1

CY62128BNLL-70SI 数据手册

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