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CXK51256P-35

更新时间: 2024-02-20 22:08:07
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 179K
描述
x1 SRAM

CXK51256P-35 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.85
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:24字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.085 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

CXK51256P-35 数据手册

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