5秒后页面跳转
CXG1104TN PDF预览

CXG1104TN

更新时间: 2024-02-22 14:09:01
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
High Power SPDT Switch with Logic Control

CXG1104TN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TSSOP10,.13,20
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.2
Is Samacsys:N1dB压缩点:35 dBm
构造:COMPONENT最大插入损耗:0.65 dB
最小隔离度:14 dBJESD-609代码:e6/e4
安装特点:SURFACE MOUNT功能数量:1
端子数量:10最大工作频率:1900 MHz
最小工作频率:900 MHz最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-35 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:TSSOP10,.13,20电源:3 V
射频/微波设备类型:SPDT子类别:RF/Microwave Switches
表面贴装:YES技术:GAAS
端子面层:TIN BISMUTH/PALLADIUM最大电压驻波比:1.4
Base Number Matches:1

CXG1104TN 数据手册

 浏览型号CXG1104TN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CXG1104TN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CXG1104TN的Datasheet PDF文件第4页 
CXG1104TN  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
IL  
Min. Typ. Max. Unit  
0.30 0.55 dB  
Condition  
900MHz  
1.9GHz  
900MHz  
1.9GHz  
Insertion loss  
0.40 0.65 dB  
20  
14 16.5  
1.2 1.4  
23  
dB  
dB  
Isolation  
VSWR  
ISO.  
VSWR  
2fo  
900MHz, 1.9GHz  
1
60 75  
60 75  
dBc  
dBc  
dBm  
dBm  
µs  
Harmonics  
1
3fo  
P1dB  
IIP3  
TSW  
Ictl  
VDD = 3.0V, 0/3V control  
32  
60  
35  
70  
2
1dB compression input power  
Input IP3  
2
5
Switching speed  
Control current  
Bias current  
Vctl (High) = 3V  
VDD = 3V  
40  
80  
µA  
IDD  
100 200 µA  
1
Pin = 29dBm, 900MHz, VDD = 3.0V, 0/3V control  
2
Pin = 25dBm (900MHz) + 25dBm (901MHz), VDD = 3.0V, 0/3V control  
3 –  

与CXG1104TN相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CXG1106EN SONY High Power 2 】 4 Antenna Switch MMIC with Int

获取价格

CXG1106TN ETC High Power 2x4 Antenna Switch MMIC withIntegrated Control Logic

获取价格

CXG1108K SONY Power Amplifier Module for JCDMA

获取价格

CXG1109EN SONY Receive Dual Low Noise Amplifier/Mixer

获取价格

CXG1111EN SONY 800MHz Band Receive Mixer

获取价格

CXG1114EN SONY SP3T, 880MHz Min, 915MHz Max, 2 Func, 1.1dB Insertion Loss-Max, GAAS, PLASTIC, VSON-16

获取价格