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CT60AM-18B

更新时间： 2024-02-23 12:03:05

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三菱 - MITSUBISHI		晶体晶体管双极性晶体管栅局域网快速恢复二极管
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描述
RESONANT INVERTER USE

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CT60AM-18B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3PL	包装说明：	TO-3PL, 3 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	900 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	25 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	500 ns	标称接通时间 (ton)：	150 ns
Base Number Matches：	1

CT60AM-18B 数据手册

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

CT60AM-18B

RESONANT INVERTER USE

CT60AM-18B

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

20MAX.

φ 3.2

0.5

5.45 5.45

4.0

w r

q GATE

w COLLECTOR

e EMITTER

r COLLECTOR

¡VCES ............................................................................... 900V

¡IC .........................................................................................60A

¡Integrated Fast Recovery Diode

TO-3PL

APPLICATION

Microwave ovens, electromagnetic cooking de-

vices, rice-cookers, voltage-resonant inverter circuit

electric appliances.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VCES

VGES

VGEM

Parameter

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

Peak gate-emitter voltage

Collector current

Conditions

Ratings

Unit

VGE = 0V

VCE = 0V

900

±20

±30

ICM

Collector current (Pulsed)

Emitter current

120

Maximum power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

TC = 25°C

200

°C

–40 ~ +150

Tstg

Feb.1999

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CT60AM-18C	RENESAS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
CT60AM-18C-AD	RENESAS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
CT60AM18F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247VAR
CT60AM-18F	RENESAS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
CT60AM-18F	POWEREX	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
CT60AM-18F-AD	RENESAS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
CT60AM20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247VAR
CT60AM-20	MITSUBISHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PIN
CT60E	ETC	获取价格	DIAC (BIDIRECTIONAL DIODE THYRISTOR)\|70V V(BO) MAX\|50UA I(S)\|DO-204AL
CT60F-331K-H	Central Technologies	获取价格	General Purpose Inductor, 330uH, 10%, 1 Element, Iron-ferrite-Core, RADIAL LEADED, ROHS CO