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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CSHDD8-100
CSHDD8-100 PDF预览

CSHDD8-100

更新时间： 2024-09-28 22:28:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 整流二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
SILICON SCHOTTKY RECTIFIERS SINGLE, 8.0 AMP, 40 THRU 100 VOLTS

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CSHDD8-100 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.33
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：100 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CSHDD8-100 数据手册

 浏览型号CSHDD8-100的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CSHDD8-40  
CSHDD8-60  
CSHDD8-100  
Central  
NEW  
Semiconductor Corp.  
FEATURES:  
• HIGH RELIABILITY  
• LOW FORWARD VOLTAGE  
• HIGH CURRENT CAPABILITY  
• HIGH SURGE CAPACITY  
SILICON SCHOTTKY RECTIFIERS  
SINGLE, 8.0 AMP, 40 THRU 100 VOLTS  
• UL FLAMMABILITY CLASSIFICATION 94V-O  
• SUPERIOR LOT TO LOT CONSISTENCY  
• LOW POWER LOSS, HIGH EFFECIENCY  
• HIGH VOLTAGE  
D2PAK CASE  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSHDD8-40 Series types are Silicon Schottky Rectifiers  
designed for surface mount fast switching applications requiring a low forward voltage drop. To order  
devices on 24mm Tape and Reel ( 800/13” Reel ), add TR13 suffix to part number.  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL CSHDD8-40 CSHDD8-60 CSHDD8-100 UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
40  
40  
28  
60  
60  
100  
100  
70  
V
V
V
RRM  
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
42  
R(RMS)  
Average Forward Current (T =100°C)  
I
8.0  
150  
A
C
O
Peak Forward Surge Current (8.3ms)  
Critical Rate of Rise of Reverse Voltage  
I
A
FSM  
dV/dt  
10,000  
V/ms  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
-65 to +150  
°C  
°C/W  
°C/W  
J stg  
Typical Thermal Resistance  
Typical Thermal Resistance  
Q
Q
2.0  
50  
JC  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
CSHDD8-40  
TYP MAX  
CSHDD8-60  
TYP MAX  
CSHDD8-100  
SYMBOL TEST CONDITIONS  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
V
V
V =Rated V  
R
100  
100  
15  
0.75  
0.65  
0.95  
100  
15  
0.85  
0.75  
1.10  
1.00  
µA  
mA  
V
V
V
R
R
F
F
F
F
RRM  
RRM  
V =Rated V  
, T = 125°C  
15  
0.65  
0.57  
0.84  
0.72  
R
C
I =8.0A  
F
I =8.0A, T = 125°C  
F
F
C
I =16A  
I =16A, T = 125°C  
0.85  
V
pF  
F
R
C
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
300  
300  
300  
J
344  
12

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CSHDD8-100 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBRB8H100T4G ONSEMI

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 SWITCHMODE Schottky Power Rectifier

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