CS72-12IO8

更新时间： 2024-01-07 10:03:43

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IXYS		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	38K
描述
Phase Control Thyristors

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CS72-12IO8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	150 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	200 mA
JEDEC-95代码：	TO-209AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-H3
最大漏电流：	15 mA	通态非重复峰值电流：	2000 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	75000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	160 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

CS72-12IO8 数据手册

CS 72

Symbol

I_R, I_D

Test Conditions

Characteristic Values

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM; V_D= V_DRM

I_T= 300 A; T_VJ= 125°C

≤

15 mA

V_T

1.78

V_T0

r_T

For power-loss calculations only (T_VJ= 125°C)

1.0

2.6 mΩ

V_GT

I_GT

V_D= 6 V;

T_VJ= 25°C

T_VJ= -40°C

T_VJ= 25°C

≤

3.0

3.5

150 mA

200 mA

_VJ= -40°C

V_GD

I_GD

T_VJ= T_VJM

;

V_D= 2/3 V_DRM

≤

0.3

I_L

T_VJ= 25°C; t_P= 10 µs

≤

300 mA

I_G= 0.5 A; di_G/dt = 0.5 A/µs

I_H

T_VJ= 25°C; V_D= 6 V; R_GK= ∞

≤

200 mA

t_gd

T_VJ= 25°C; V_D= 1/2 V_DRM

I_G= 0.5 A; di_G/dt = 0.5 A/µs

µs

t_q

T_VJ= T_VJM; I_T= 75 A, t_P= 300 µs; di/dt = -20 A/µs typ. 150

V_R= 100 V; dv/dt = 10 V/µs; V_D= 2/3 V_DRM

R_thJC

R_thJH

DC current

0.36 K/W

0.46 K/W

d_S

d_A

Creepage distance on surface

Strike distance through air

Max. acceleration, 50 Hz

10.5 mm

50 m/s²

Accessories:

Nut M12 DIN 439/SW27

Lock washer A12 DIN 128

2 - 2

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