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CS5N65A8R

更新时间： 2024-03-03 10:11:32

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CS5N65A8R 数据手册

CS5N65 A8R

○

1.15

1.05

0.95

0.85

0.75

1.15

1.1

1.05

0.95

0.9

VGS=0V

ID=250μA

VGS=0V

ID=250μA

0.85

0.8

0.75

0.7

0.65

-55 -30

-5

120 145 170

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

Tj, Junction temperature , C

Figure 11 Typical Breakdown Voltage vs Junction Temperature

Figure 10 Typical Theshold Voltage vs Junction Temperature

10000

VDS=520V

VDS=325V

VDS=130V

1000

100

Ciss

Coss

Crss

V_GS=0V , f=1MHz

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

I_D=5A

0.1

100

Qg , Total Gate Charge , nC

Vds , Drain - Source Voltage , Volts

Figure 13 Typical Gate Charge vs Gate to Source Voltage

Figure 12 Typical Capacitance vs Drain to Source Voltage

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 6 of 10

2015V01

1...3 4 567 8 9 10

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