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CS5N10 A23-G

更新时间： 2024-03-03 10:10:52

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SOT-223

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CS5N10 A23-G 数据手册

CS5N10 A23-G

○

Note:

1.V_DS=5V

2.250us Pulse Test

Tj=150℃

0.1

Tj=25℃

0.1

0.01

0.001

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

0.5

1.5

V_GS,Gate-to-Source Voltage[V]

2.5

_SD，Source-to-Drain Voltage[V]

Figure 7 TypicalBody Diode Transfer

Characteristics

Figure 6 TypicalTransfer Characteristics

2.2

PULSED TEST

T = 25℃

1.8

1.6

1.4

1.2

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

I_D= 4A

V_GS= 4.5V

I_D= 3A

V_GS= 10V

0.8

0.6

0.4

-50

-25

100 125 150

I_D,Drain Current,A

T_J,Junction Temperature(℃)

Figure 8. Drain-to-Source On Resistance vs

Drain Current

Figure 9. Normalized On Resistance vs

Junction Temperature

1.3

1.11.2

V_GS= V_DS

I_D= 250μA

1.08

1.15

1.06

1.2

1.1

1.04

1.1

1.02

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

11.05

0.98

0.96

0.94

0.95

0.92

0.90.9

-5-0100 -25 -50 0

T_J,Junction Temperature(℃)

025

5500

75100 100 150125 210500

-50

-25

100 125 150

T_J,Junction Temperature(℃)

Figure10. Normalized Threshold Voltage vs

Junction Temperature

Figure 11. Normalized Breakdown Voltage vs

Junction Temperature

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD.

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