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CS13N10 AQ4-G

更新时间： 2024-04-09 18:59:11
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华润微 - CRMICRO 光电二极管
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CS13N10 AQ4-G 数据手册

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CS13N10 AQ4-G  
R
○
Electrical Characteristics（Tj= 25℃ unless otherwise specified）：  
OFF Characteristics  
Rating  
Typ.  
--  
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
VDSS  
Units  
Min.  
100  
--  
Max.  
--  
VGS=0V, ID=250µA  
Drain to Source Breakdown Voltage  
V
VDS =100V, VGS= 0V,  
Tj = 25℃  
VDS =80V, VGS= 0V,  
Tj = 125℃  
--  
--  
--  
--  
1
Drain to Source Leakage Current  
IDSS  
µA  
--  
100  
100  
-100  
VGS=20V  
Gate to Source Forward Leakage  
Gate to Source Reverse Leakage  
IGSS(F)  
IGSS(R)  
--  
nA  
nA  
VGS =-20V  
--  
ON Characteristics  
Rating  
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
Units  
Min. Typ. Max.  
VGS=10V,ID=5A  
--  
--  
1
54  
59  
68  
72  
2
mΩ  
mΩ  
V
Drain-to-Source On-Resistance  
Gate Threshold Voltage  
RDS(ON)  
VGS(TH)  
VGS=4.5V,ID=3A  
VDS = VGS, ID = 250µA  
1.45  
Pulse width tp≤300µs,δ≤2%  
Dynamic Characteristics  
Rating  
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
Units  
Min. Typ. Max.  
VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz  
Gate resistance  
Rg  
--  
--  
--  
--  
1.8  
1195  
49  
--  
--  
--  
--  
Ω
Input Capacitance  
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS = 0V VDS =50V  
f = 1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
pF  
37  
Resistive Switching Characteristics  
Rating  
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
Units  
ns  
Min. Typ. Max.  
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
td(ON)  
tr  
td(OFF)  
tf  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
8.3  
5.4  
34.5  
4.3  
25.8  
3
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
VGS=10V，RG=3Ω  
VDD=50V，RL=10Ω  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate to Source Charge  
Gate to Drain (“Miller”)Charge  
Qg  
ID =5A VDD =50V  
VGS = 10V  
Qgs  
Qgd  
nC  
6.1  
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 2 of 10  
2020V01  
1234567...10

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