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CRSM027N08N4

更新时间： 2024-04-09 18:58:55

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华润微 - CRMICRO		光电二极管
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CRSM027N08N4 数据手册

CRSM027N08N4

SkyMOS4 N-MOSFET 80V, 2.5mΩ, 195A

华润微电子(重庆)有限公司

Thermal Resistance

Value

typ.

Parameter

Symbol

RthJC

Unit

Test Condition

min.

max.

0.80

Thermal resistance,

junction – case.

0.5

°C/W

Thermal resistance,

junction - ambient(min.

footprint)

RthJA

°C/W

Electrical Characteristic (at Tj = 25 °C, unless otherwise specified)

Value

Symbol

Parameter

Unit

Test Condition

min.

typ.

max.

Static Characteristic

Drain-source breakdown

voltage

BV_DSS

V_GS=0V, I_D=250uA

V_DS=V_GS,I_D=250uA

V_{GS(th )}

Gate threshold voltage

2.2

3.8

V_DS=80V,V_GS=0V

T_j=25°C

Zero gate voltage drain

current

I_DSS

μA

T_j=125°C

100

Gate-source leakage

current

I_GSS

V_GS=±20V,V_DS=0V

±100

2.8

Drain-source on-state

resistance

R_DS(on)

VGS=10V,I_D=50A

2.5

mΩ

VGS=8V,I_D=40A

V_DS=5V,I_D=50A

2.04

2.6

3.8

mΩ

g_fs

Transconductance

113

147

Dynamic Characteristic

Input Capacitance

C_iss

3680

660

5520

990

8280

1485

V_GS=0V, V_DS=40V,

f=1MHz

C_oss

Output Capacitance

Reverse Transfer

Capacitance

C_rss

Q_G

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

Gate Total Charge

Gate-Source charge

Gate-Drain charge

Turn-on delay time

Rise time

114

V_GS=10V, V_DS=40V,

I_D=50A, f=1MHz

137

V_GS=10V, V_DD=40V,

R_{G_ext}=2.7Ω

t_d(off)

t_f

Turn-off delay time

Fall time

141

V_GS=0V, V_DS=0V,

f=1MHz

R_G

Gate resistance

1.2

1.8

2.6

Rev 1.0

Page 2

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