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CRJQ41N65GCFQ

更新时间： 2024-03-03 10:09:49

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华润微 - CRMICRO		/
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9页	441K
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TO-247

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CRJQ41N65GCFQ 数据手册

CRJQ41N65GCFQ

华润微电子(重庆)有限公司

SJMOSꢀNꢁMOSFETꢀ650V,ꢀ42mꢂ,ꢀ70A

Features

Product Summary

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀAECꢀQ101

•ꢀMuchꢀlowerꢀRon*AꢀperformanceꢀforꢀOnꢁstateꢀefficiency

VDS

650V

42mꢂ

70A

R_{DS(on)_typ}

I_D

•ꢀBetterꢀefficiencyꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOM

•ꢀUltraꢁfastꢀbodyꢀdiode

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

Applications

100% DVDS Tested

SuitableꢀforꢀPFCꢀandꢀDCꢁDCꢀstagesꢀfor:

•ꢀUnidirectionalꢀandꢀbidirectionalꢀDCꢁDCꢀconverters,

•ꢀOnꢁBoardꢀbatteryꢀChargers

100% Avalanche Tested

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

CRJQ41N65GCFQ

Marking

CRJQ41N65GCFQ

Package

TOꢁ247ꢁ3L

Packing

Tube

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

25pcs

N/A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

650

Continuousꢀdrainꢀcurrentꢀ¹⁾

T_Cꢀ=ꢀ25°C

I_D

T_Cꢀ=ꢀ100°C

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀꢀ²⁾ꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=30mH,ꢀRg=30Ω)

MOSFETꢀdv/dtꢀruggedness

)

209

1500

V/ns

I_Dꢀpulse

E_AS

dv/dt

V_GS

GateꢁSourceꢀvoltage

±30

687

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

Continuousꢀdiodeꢀforwardꢀcurrent(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

Diodeꢀpulseꢀcurrentꢀ²⁾ꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

Recoveryꢀdiodeꢀdv/dtꢀ³⁾

I_S

I_Sꢀpulse

dv/dt

209

V/ns

A/ꢃs

°C

di_F/dt

Maximumꢀdiodeꢀcommutationꢀspeed

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

900

T_jꢀ,ꢀT _stg

ꢁ55...+150

1)ꢀLimitedꢀbyꢀTj,max.ꢀMaximumꢀDutyꢀCycleꢀDꢀ=ꢀ0.50;

2)ꢀPulseꢀwidthꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTj,max

3)ꢀIdenticalꢀlowꢀsideꢀandꢀhighꢀsideꢀswitchꢀwithꢀidenticalꢀRG

Rev1.0

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

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