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CPH3448

更新时间： 2024-01-11 07:42:13

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	364K
描述
4000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE, CPH3, SC-95, SC-96, SOT-457, 3 PIN

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CPH3448 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	not_compliant
Factory Lead Time：	11 weeks	风险等级：	0.64
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CPH3448 数据手册

CPH3448

Ordering number : ENA1648

SANYO Sem iconductors

DATA S HEET

N-Channel Silicon MOSFET

General-Purpose Switching Device

Applications

CPH3448

Features

•

1.8V drive

•

Halogen free compliance

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

±12

DSS

GSS

Drain Current (Pulse)

PW≤10μs, duty cycle 1%

≤

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

When mounted on ceramic substrate (900mm²0.8mm)

1.0

150

°C

Tch

Tstg

--55 to +150

Package Dimensions

unit : mm (typ)

Product & Package Information

• Package

: CPH3

7015A-004

• JEITA, JEDEC

: SC-96, SC-95, SOT346, SOT457

• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel

2.9

0.15

0.05

Packing Type: TL

Marking

0.95

1 : Gate

0.4

2 : Source

3 : Drain

Electrical Connection

SANYO : CPH3

http://semicon.sanyo.com/en/network

No. A1648-1/4

90110PE TK IM TC-00002462

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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