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CP591-2N2907A-WS

更新时间： 2024-09-29 18:13:47

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Transistor

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CP591-2N2907A-WS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

CP591-2N2907A-WS 数据手册

PROCESS CP591

Small Signal Transistor

PNP - Amp/Switch Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

19 x 19 MILS

9.0 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.5 x 4.3 MILS

3.5 x 4.5 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

30,600

PRINCIPAL DEVICE TYPES

2N2905A

2N2907A

CMPT2907A

CMST2907A

CXT2907A

CZT2907A

PN2907A

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R3 (1-August 2002)

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