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CP591V-2N2905A-WS

更新时间： 2024-09-29 19:08:39

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Transistor

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CP591V-2N2905A-WS 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

CP591V-2N2905A-WS 数据手册

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PROCESS CP591V

Small Signal Transistor

PNP - Amp/Switch Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

19 x 19 MILS

7.1 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.5 x 4.3 MILS

3.5 x 4.5 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

30,600

PRINCIPAL DEVICE TYPES

2N2905A

2N2907A

CMPT2907A

CMST2907A

CXT2907A

CZT2907A

PN2907A

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R1 (21-August 2006)

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与CP591V-2N2905A-WS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP591V-2N2907A	CENTRAL	获取价格	60V,600mA,400mW Bare die,19.290 X 19.290 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
CP591V-2N2907A-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP591V-CMPT2907A-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP591V-CMPT2907A-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
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