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CP230

更新时间： 2024-02-20 12:24:23

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1页	37K
描述
Power Transistors NPN - Silicon Darlington Transistor Chip

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CP230 技术参数

PROCESS CP230

Power Transistors

NPN - Silicon Darlington Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL BASE

80 X 80 MILS

8 MILS

Die Size

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

18 X 27 MILS

34 X 34 MILS

Al - 30,000Å

Ti/Pd/Ag (20,000Å)

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

1,445

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CZT122

CJD122

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R0 (9 -May 2005)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CP230_10	CENTRAL	Power Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip	获取价格
CP2300SA	JJM	半导体放电管	获取价格
CP2300SB	JJM	半导体放电管	获取价格
CP2300SC	HDSEMI	SMB Plastic-Encapsulate Diodes	获取价格
CP2300SC	JJM	半导体放电管	获取价格
CP230-2N6039	CENTRAL	4A,80V Bare die,80.000 X 80.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)	获取价格