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CNY17F1SR2M

更新时间： 2024-02-28 02:46:55

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安森美 - ONSEMI		输出元件晶体管光电晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	367K
描述
6 引脚 DIP 高 BVCEO 光电晶体管输出光耦合器

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CNY17F1SR2M 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	DIP-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.40.80.00
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	0.88
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	70 V	配置：	SINGLE
当前传输比率-最小值：	40%	标称电流传输比：	40%
最大暗电源：	50 nA	最大正向电流：	0.06 A
最大正向电压：	1.65 V	最大绝缘电压：	7500 V
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
元件数量：	1	最大通态电流：	0.05 A
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER	最大功率耗散：	0.15 W
最长响应时间：	0.00001 s	子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

CNY17F1SR2M 数据手册

CNY17 Series, MOC8106M

AC CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Test Conditions

Device

Min.

Typ. Max.

Unit

NON−SATURATED SWITCHING TIME

ton

toff

t_d

Turn−On Time

Turn−Off Time

Delay Time

Rise Time

= 2.0 mA, V = 10 V, R = 100 W

All Devices

−

2.0

3.0

−

10.0

5.6

= 2.0 mA, V = 10 V, R = 100 W

All Devices

I = 10 mA, V = 5 V, R = 75 W

CNY17XM/CNY17FXM

t_r

I = 10 mA, V = 5 V, R = 75 W

−

4.0

t_s

Storage Time

Fall Time

I = 10 mA, V = 5 V, R = 75 W

−

4.1

t_f

I = 10 mA, V = 5 V, R = 75 W

−

3.5

SATURATED SWITCHING TIME

t_d

CNY171M/F1M

−

5.5

8.0

I = 20 mA, V = 5 V, R = 1 kW

Delay Time

I = 10 mA, V = 5 V, R = 1 kW

CNY172M/3M/4M

CNY17F2M/F3M/F4M

t_r

CNY171M/F1M

−

4.0

6.0

I = 20 mA, V = 5 V, R = 1 kW

Rise Time

I = 10 mA, V = 5 V, R = 1 kW

CNY172M/3M/4M

CNY17F2M/F3M/F4M

t_s

CNY171M/F1M

−

34.0

39.0

I = 20 mA, V = 5 V, R = 1 kW

Storage Time

I = 10 mA, V = 5 V, R = 1 kW

CNY172M/3M/4M

CNY17F2M/F3M/F4M

t_f

CNY171M/F1M

−

20.0

24.0

I = 20 mA, V = 5 V, R = 1 kW

Fall Time

I = 10 mA, V = 5 V, R = 1 kW

CNY172M/3M/4M

CNY17F2M/F3M/F4M

ISOLATION CHARACTERISTICS

Symbol

VISO

Parameter

Input−Output Isolation Voltage

Isolation Capacitance

Test Conditions

Min.

4170

−

Typ.

Max.

Unit

VAC_RMS

t = 1 Minute

−

0.2

−

CISO

= 0 V, f = 1 MHz

I−O

RISO

Isolation Resistance

= 500 VDC, T = 25C

www.onsemi.com

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