R
CM5N65C
深圳市晶导电子有限公司
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
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POWER MOSFET
4.2 电参数 Electrical Characteristics (TC = 25℃)
参 数 名 称
Parameter
符 号
测 试 条 件
最小 典型
最大
单位
Symbol
Tests conditions
Min
Typ
Max
Units
截止特性 Off –Characteristics
漏源击穿电压
BVDSS VGS=0V,ID=250μA
650
V
Drain-Source Voltage
漏源击穿电压温度系数
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
△
BVDSS
△TJ
ID = 250µA
/
0.67
V/℃
VDS=650V, VGS=0 , 25℃
VDS=520V,VGS=0 , 125℃
1
漏源漏电流 Zero Gate Voltage
Drain Current
IDSS
IGSS
μA
nA
100
栅源漏电流
VGS= ± 30V
±100
Gate-body leakage current
导通特性 On-Characteristics
静态导通电阻
*
Static Drain-Source
On-Resistance
RDSON
VGS=10V,ID=2.5A
1.9
2.3
4
Ω
阈值电压
VGS
VDS=VGS,ID=250μA
2
V
(
)
TH
Gate Threshold Voltage
跨导
Forward Transconductance
gfs
VDS=15V, ID=2.5A
4.5
S
脉冲宽度 tp≤380µs,占空比 δ≤2%
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
Ciss
763
500
154
Input capacitance
输出电容
VGS=0V,VDS=25V
Coss
Crss
pF
Output capacitance
反向传输电容
f=1.0MH
Reverse transfer capacitance
开关特性 Switching Characteristics
开启延迟(时间)
td(ON)
10
11
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
关断延迟(时间)
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷
Total Gate Charge
栅源电荷
ID =5.0A
tr
td(OFF)
tf
VDD = 300V
VGS = 10V
RG = 4.7Ω
nS
nC
31
16
Qg
23.1
6.9
7.6
ID=5A,VDD=300V
VGS = 10V
Qgs
Qgd
Gate-Source charge
栅漏电荷
Gate-Drain charge
地址:深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层
电话:0755-29799516
传真:0755-29799515
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