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CM20N40F

更新时间： 2024-04-09 18:58:56

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晶导 - JINGDAO		/
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TO-220F

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CM20N40F 数据手册

CM20N40F

深圳市晶导电子有限公司

ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.

www.jdsemi.cn

POWER MOSFET

源-漏二极管特性

Drain-Source Diode Characteristics

源漏二极管连续电流

Maximum Continuous Drain

–Source Diode Forward

Current

Tc = 25°C

I_SD

源漏二极管脉冲电流

Maximum Pulsed

Drain-Source Diode Forward

Current

源漏二极管正向压降

Drain-Source Diode Forward

Voltage

I_SDM

I_SD=20A,V_GS=0

V_FSD

1.5

反向恢复时间

Reverse recovery time

反向恢复电荷

t_rr

376

I_SD=20A,Tj = 25°C

dI_F/dt=100A/us, V_GS=0V

Q_rr

2560

Reverse recovery charge

参数名称 Parameter

符号 Symbol

额定值 Value

单位 Unit

℃/W

热阻（结到壳）

R_θJC

R_θJA

1.56

Thermal Resistance, Junction to Case

热阻（结到环境）

62.5

℃/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

注:

Notes:

重复脉冲,宽度由最高结温限制

Pulse width limited by maximum junction

temperature

L=10mH, I_D=14 A, 起始结温 T_J=25℃

I_SD=20A,di/dt ≤100A/us,V_DD≤BV_DS

起始结温 T_J=25℃

L=10mH, I_D=14A, Starting T_J=25℃

I_SD=20A,di/dt ≤100A/us,V_DD≤BV_DS

StartingT_J=25℃

地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层

电话：0755-29799516

传真：0755-29799515

第 3 页 V04 版

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