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CLC503AJE

更新时间： 2024-01-30 11:36:22
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 放大器光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
6页 102K
描述
IC-SM-DIFF OUTPUT AMP

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CLC503AJE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.89
Is Samacsys：N放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
标称负供电电压 (Vsup)：-5 V端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE电源：+-5 V
认证状态：Not Qualified子类别：Operational Amplifiers
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

CLC503AJE 数据手册

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(VCC = + 5V, VEE = - 5V, Vcm = 2.25V, C = 5pF, V = 4Vpp unless specified)  
Electrical Characteristics  
PARAMETERS  
L
o
CONDITIONS  
TYP  
MIN/MAX RATINGS  
UNITS  
NOTES  
Ambient Temperature  
CLC503  
+25˚C  
+25˚C  
-40 to 85˚C  
FREQUENCY DOMAIN RESPONSE  
Differential Amp  
large signal bandwidth  
gain flatness  
Vo < 4.0Vpp  
DC to 10MHz  
180  
0.3  
80  
0.5  
70  
0.5  
MHz  
dB  
Common-Mode Amp  
-3dB bandwidth  
Vo < 4.0Vpp  
15  
10  
10  
MHz  
TIME DOMAIN RESPONSE  
Differential Amp  
rise and fall time  
settling time to 0.1%  
overshoot  
slew rate  
2V step  
2V step  
2V step  
2V step  
2.1  
15  
0
2.5  
22  
3.0  
25  
ns  
ns  
%
800  
500  
100  
500  
100  
V/µs  
Common-Mode Amp  
recovery from power down  
0.1% output settling  
40  
ns  
DISTORTION AND NOISE RESPONSE  
2nd harmonic distortion  
4Vpp, 1MHz  
4Vpp, 10MHz  
4Vpp, 1MHz  
4Vpp, 10MHz  
4Vpp  
-78  
-75  
-85  
-77  
72  
-74  
-71  
-80  
-72  
71  
-70  
-71  
-79  
-72  
70  
dBc  
dBc  
dBc  
dBc  
dB  
B
B
B
B
3rd harmonic distortion  
SNR  
integrated output noise voltage  
Rs = 50Ω  
10kHz – 500MHz  
325  
380  
460  
µVrms  
STATIC DC PERFORMANCE  
Differential Amp  
gain  
output offset voltage  
INL  
Vo(Diff)/Vin  
2
10  
0.015  
2
1.75 - 2.25  
90  
0.03  
1.6 - 2.4  
1.75 - 2.25  
100  
0.05  
1.6 - 2.4  
V/V  
mV  
%
A
A
A
V = 0  
in  
Rin  
kΩ  
Common-Mode Amp  
gain  
output offset voltage  
Rin  
input voltage range  
power supply rejection ratio  
supply current  
supply current, power down  
V
ocm/Vcm  
0.97  
100  
10  
1.5 - 3.5  
50  
0.9 - 1.1  
200  
0.9 - 1.1  
200  
V/V  
mV  
MΩ  
V
dB  
mA  
mA  
A
5
5
DC  
RL= ∞  
30  
30  
6
30  
30  
6
A
A
A
25  
4.5  
MISCELLANEOUS PERFORMANCE  
power down input  
VIL  
CMOS levels  
on  
off  
0.5 - 4.8  
1
4.5  
45  
0.7 - 3.9  
500  
V
V
V
mW  
V
Ω
C
VIH  
C
A
power down dissipation  
output voltage range  
differential output resistance  
PDN = “Hi”  
60  
0.85 - 3.7  
400 - 600  
60  
0.9 - 3.5  
375 - 625  
single output  
Min/max ratings are based on product characterization and simulation. Individual parameters are tested as noted. Outgoing quality levels are  
determined from tested parameters.  
Absolute Maximum Ratings  
Notes  
A) J-level: spec is 100% tested at +25 C, sample tested at +85 C.  
˚
˚
supply voltage  
±
6V  
6V  
LC/MC-level: spec is 100% wafer probed at +25 C.  
B) J-level: spec is sample tested at +25 C.  
˚
C) POWER DOWN must be 1V higher than Vcm  
˚
maximum input range  
±
maximum output range (±V)  
0 to VCC  
-40 C to +85 C  
.
maximum operating temperature range  
maximum junction temperature  
maximum storage temperature range  
maximum lead temperature (soldering 10 sec)  
ESD rating (human body model)  
˚
˚
+175 C  
˚
Ordering Information  
Temperature Range  
-65 C to +150 C  
˚
˚
+300 C  
˚
500V  
Model  
Description  
CLC503AJE  
-40 C to +85 C  
8-pin SOIC  
˚
˚
Recommended Operating Conditions  
supply voltage  
±
4.5 to ±5.5Vdc  
Package Thermal Resistance  
input voltage  
±1V  
Package  
θJC  
θJA  
output voltage  
+0.8 to +3.75V  
-40°C to +85°C  
ambient temperature range  
SOIC (AJE)  
65 C/W  
˚
90 C/W  
˚
http://www.national.com  
2
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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