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CLA16E800PN

更新时间： 2024-01-03 09:48:11

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	238K
描述
高效SCR系列提供采用各种封装的晶闸管，具有改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。

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CLA16E800PN 数据手册

CLA16E800PN

Ratings

Thyristor

Symbol

V_RSM/DSM

Definition

Conditions

min. typ. max. Unit

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

T_VJ= 25°C

900

800

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

V_RRM/DRM

I_R/D

V_R/D= 800 V

I_T= 10 A

I_T= 20 A

I_T= 10 A

I_T= 20 A

T_C= 90°C

180° sine

µA

reverse current, drain current

forward voltage drop

1.14

1.32

1.07

1.31

V_T

T_VJ

°C

125

average forward current

RMS forward current

T_VJ= 150°C

I_TAV

I_T(RMS)

V_T0

0.81

threshold voltage

for power loss calculation only

slope resistance

24 mΩ

r_T

K/W

R_thJC

R_thCH

P_tot

thermal resistance junction to case

thermal resistance case to heatsink

0.5

T_C= 25°C

T_VJ= 45°C

V_R= 0 V

180

195

155

165

total power dissipation

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

V_R= 400V f = 1 MHz

t_P= 30 µs

I_TSM

T_VJ= 150°C

V_R= 0 V

value for fusing

T_VJ= 45°C

V_R= 0 V

I²t

160 A²s

120 A²s

115 A²s

T_VJ= 150°C

V_R= 0 V

junction capacitance

T_VJ= 25°C

T_C= 150°C

C_J

2.55

0.5

P_GM

max. gate power dissipation

t_P= 300 µs

P_GAV

average gate power dissipation

critical rate of rise of current

T_VJ= 125°C; f = 50 Hz

repetitive, I_T= 60 A

150 A/µs

(di/dt)_cr

0.3

t_P= 200 µs;di_G/dt =

A/µs;

I_G= 0.3A; V = ⅔ V_DRM

V = ⅔ V_DRM

non-repet., I_T= 20 A

T_VJ= 125°C

500 A/µs

500 V/µs

critical rate of rise of voltage

gate trigger voltage

(dv/dt)_cr

V_GT

R_GK= ∞; method 1 (linear voltage rise)

V_D= 6 V

T_VJ= 25°C

T_VJ= -40°C

T_VJ= 25°C

T_VJ= -40°C

T_VJ= 150°C

1.3

1.6

gate trigger current

V_D= 6 V

30 mA

50 mA

I_GT

gate non-trigger voltage

gate non-trigger current

latching current

V_D= ⅔ V_DRM

t_p= 10 µs

0.2

V_GD

I_GD

I_L

T_VJ= 25°C

60 mA

I_G

0.3A; di_G/dt = 0.3 A/µs

holding current

V_D= 6 V R_GK= ∞

T_VJ= 25°C

60 mA

I_H

gate controlled delay time

V_D= ½ V

µs

t_gd

DRM

I_G

V_R= 100 V; I_T

di/dt = 10 A/µs dv/dt = 20 V/µs

0.3A; di_G/dt = 0.3 A/µs

20A; V = ⅔ V_DRMT_VJ=125 °C

µs

turn-off time

150

t_q

t_p= 200

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20191129b

123 4 5 6

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