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CL0-65608V-45:RD

更新时间: 2023-03-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
TEMIC ATM异步传输模式静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 519K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS,

CL0-65608V-45:RD 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7最长访问时间:45 ns
JESD-30 代码:R-XUUC-N31内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:31字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

CL0-65608V-45:RD 数据手册

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