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CFC4662

更新时间： 2024-02-25 11:23:30

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CDIL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	106K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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CFC4662 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

CFC4662 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

CFC4662

TO-220FP Fully Isolated

Plastic Package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

VALUE

DESCRIPTION

SYMBOL

UNIT

V_CBO

500

400

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

V_CEO

V_EBO

** V_ISOL(a)

V_RMS

3500

1500

RMS Isolation Voltage (for 1sec, R.H.

<30%, T_a= 25^oC)

V_RMS

(b)

I_C

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

I_B

Base Current

Power Dissipation upto T_c=25ºC

P_C

150

ºC

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature

- 55 to +150

T_stg

ºC

** RMS Isolation Voltage: (a) 3500 V_RMSwith Package in Clip Mounting Position (b) 1500 V_RMSwith Package

in Screw Mounting Position (for 1sec, R.H.<30%, T_a=25^oC; Pulse Test: Pulse Width <300ms, Duty Cycle<2%)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

TEST CONDITION

V_CB=500V, I_E=0

V_EB=10V, I_C=0

MIN

MAX

100

UNIT

Collector Cut Off Current

Emitter Cut Off Current

Collector Emitter Voltage

DC Current Gain

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

CBO

EBO

V_CEO

h_FE

V_{CE (sat)}

V_{BE (sat)}

f_T

I_C=25mA, I_B=0

400

I_C=1.5A, V_CE=4V

I_C=1.5A, I_B=0.3A

I_C=0.3A, V_CE=12V

I_E=0, V_CB=10V, f=1MHz

0.5

1.3

MHz

TYP 20

TYP 30

C_ob

Collector Capacitance

SWITCHING TIMES

Turn On Time

t_on

t_stg

t_f

V_CC=200V, R_L=133W,I_C=1.5A

V_BB1=10V,V_BB2= -5V

1.0

2.5

0.5

Storage Time

Fall Time

I_B1=0.15A, I_B2= -0.3A

Data Sheet

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Continental Device India Limited

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